发表日期：2013年02期 出版：《系统仿真学报》 主管单位：北京仿真中心;中国仿真学会 作者：柏艳红,赵志娟,孙志毅,李虹 页数：6页（依默认发送格式：PDF计算） PDF编号：PDF9XTFZ2013020290 可选格式：Word、ePUB、PPT（课件用途） 下载次数：144 论文引用次数：8

在分析了金属 -氧化物 -SiC (MOSiC)器件物理模型的基础上 ，分析了界面等物理效应对器件的影响 ，建立了适于VLSI的MOSiC器件模型。利用当今流行的matlab软件 ，模拟了MOSiC器件的电特性。

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