横向高压器件是智能功率集成电路的核心器件，而漂移区结构参数是影响器件导通和击穿性能的重要因素。为此，提出了LDMOS三种经典结构的导通电阻模型并研究了漂移区结构参数对导通电阻的影响，它们分别是:Single RESURF，Double RESURF，Dual conduction layer结构。然后借助这些模型研究了漂移区掺杂浓度、漂...

公告：百度文库、百度云（百度盘）、Matlab演示破解版下载、Matlab运行实例数据暂未提供。