发表日期:2013年13期 出版:《科技传播 主管单位:中国科技新闻学会 作者:武永伟 页数:2页(依默认发送格式:PDF计算) PDF编号:PDF9KJCB2013131700 可选格式:Word、ePUB、PPT(课件用途) 下载次数:59 论文引用次数:1

以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,讨论了量子阱结构中的应变效应,用k·p微扰理论给出包括重空穴带、轻空穴带和自旋-轨道分裂带相互作用和考虑应变作用的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量,利用matlab精确求解,并进行数值模拟得到了布里渊区中心的导带结构、价带结构和包络函数。结果表明,应变的引入使晶体产...

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