研究了衍射效应对SU-8胶紫外光刻尺寸精度的影响。根据菲涅耳衍射理论建立了紫外曝光改进模型，预测微结构的尺寸，分析了光刻参数变化对尺寸的影响。为了更好地与数值模拟结果进行比较，以硅为基底，进行了SU-8胶紫外光刻的实验研究。实验分四组，实验中掩模的特征宽度分别取50μm、100μm、200μm和400μm，...

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