PDF:基于ANSYS及matlab的温度场分布对半桥型IGBT器件的影响
发表日期:2018年03期
出版:《固体电子学研究与进展》
主管单位:南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所)
作者:方佳怡,刘宪云,夏丽,李磊
页数:6页(依默认发送格式:PDF计算)
PDF编号:PDF9GTDZ2018030040
可选格式:Word、ePUB、PPT(课件用途)
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