《PT/P(VDF-TrFE)/多孔氧化硅衬底热释电传感器研制》PDF+DOC
作者:李金华,李坤,陈燕陈,王丽华,蔡忠龙
单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国材料研究学会
出版:《功能材料与器件学报》1998年第01期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGNCQ801.0030
DOC编号:DOCGNCQ801.0039
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用电化学方法制备多孔化率约69%的多孔硅,在湿氧中氧化成多孔氧化硅,作热释电传感器的衬底。将用溶胶凝胶法制备的钛酸铅(PT)纳米粉粒掺入聚偏氟乙烯/三氟乙烯共聚物中形成PT/P(VDFTrFE)热释电复合敏感膜。PT粉粒的掺入体积比为012时,与成膜条件相同的P(VDFTrFE)膜相比,热释电优值提高20%,探测优值提高35%。多孔氧化硅结构降低了衬底的热导率和元件热容,使多孔硅衬底传感器的电流灵敏度比结构相同的体硅衬底传感器样品高约2倍。
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