作者：张光照,张心潮 单位：中国电子信息产业发展院 出版：《世界电子元器件》1998年第06期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFSDYQ1998060100 DOC编号：DOCSDYQ1998060109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文简要介绍了用于传感器和执行器封装的硅一硅键合，硅一玻璃阳极键合及基于表面修饰工艺的选择键盒技术；讨论了如何消除键合晶片之间空隙的方法。

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