作者: 单位:中国科学院上海技术物理研究所 出版:《红外》1998年第08期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFHWAI1998080030 DOC编号:DOCHWAI1998080039 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 本器件(1)包括两层半导体膜层(2,3)它们具有相反的传导性,或者仅具有一种金属传导性。这两层膜层构成了一个结区,电磁辐射经过表面区(6)后透入给结区,随后便被探测到。

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