作者：王文生 单位：北京信息科技大学 出版：《传感器世界》1998年第07期 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGSJ1998070030 DOC编号：DOCCGSJ1998070039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • InSb是一种Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料，与其它半导体材料相比，具有较高的电子迁移率.因此，它不但适合制造霍尔器件和传感器，而且适合于制造磁敏电阻和传感器.本文简要介绍了InSb材料的特点，磁敏感效应，各种霍尔器件、磁敏电阻和传感器的性能、结构、工作原理以及典型的应用。

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