作者:张荣,曲宏伟,王涌萍,阎富兰,崔金标,田莉萍,张维新 单位:四川固体电路研究所 出版:《微电子学》1998年第06期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFMINI806.0130 DOC编号:DOCMINI806.0139 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用硅优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好、精度高等特点,电路工作范围为0~250°C,且具有良好的温度稳定性。

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