作者：周晓华,O.ToftSφrensen,曹全喜,徐毓龙 单位：国家仪表功能材料工程技术研究中心;重庆仪表材料研究所;中国仪器仪表学会仪表材料学会 出版：《功能材料》1999年第01期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGNCL1999010170 DOC编号：DOCGNCL1999010179 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 研究了掺镁钛酸锶（SrTiO3）厚膜氧传感器的敏感机理，镁在SrTiO3的含量分别取10％、20％、30％、40％和50％（摩尔分数）。实验结果表明，当温度在400～900℃之间、氧分压在38Pa～2．6&#215；104Pa之间时，所有的样品均为空穴导电型（P型）半导体；镁含量为40％（摩尔分数）的SrTiO3厚膜样品显示出最好的氧敏性能，在温度为500～800℃时，它对氧分压变化的灵敏度为7～8．5，响应时间和恢复时间分别为28～325。本文从缺陷化学的角度解释了所得到的实验结果，尤其是logR∝－l／3logPo2的依赖关系。

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