作者：李建平,王悦,高晓光,王利,韩泾鸿 单位：中国真空学会 出版：《真空科学与技术学报》2000年第03期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZKKX2000030020 DOC编号：DOCZKKX2000030029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 随着微结构气敏传感器的出现 ，金属氧化物半导体薄膜因具有灵敏度高、热质量小、批量制备一致性好等特点受到日益广泛的重视。本文比较了在微结构气敏传感器中三种方法制备的SnO2 敏感薄膜的结构和气敏响应特性。结果表明 ，用液涎生长和热氧化技术制备的SnO2 薄膜灵敏度高、稳定性好 ，但这种方法与lift off技术不兼容 ；室温直流溅射Sn然后热氧化方法制备的SnO2 薄膜虽然能采用lift off技术成形 ，但由于膜中晶粒结构和Sn/O比不合适使得它的气敏响应特性很差 ；室温混合气氛 (Ar/O2 比为 8∶2 )下射频溅射SnO2 靶然后退火制备的SnO2 薄膜 ，不仅对有机分子十分灵敏 ，而且与微电子工艺相容。室温射频溅射是制备微结构气敏传感器敏感薄膜较理想的方法

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