作者:唐慧,季安,章学群,孙艳宾 单位:北京信息科技大学 出版:《传感器世界》2000年第08期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGSJ2000080030 DOC编号:DOCCGSJ2000080039 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 本文分析了影响扩散硅压力传感器稳定性产生的原理,并依据半导体理论,在工艺上采取了相应的措施。大大改善的传感器的稳定性,使我们生产的传感器稳定性达到国外同类产品的先进水平。

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