《深掺杂Si反常电阻效应微型流量传感器》PDF+DOC
作者:李兴,梁家昌,Hunderson Therman
单位:南开大学
出版:《南开大学学报(自然科学版)》2000年第03期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFNKDZ2000030100
DOC编号:DOCNKDZ2000030109
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使用深掺杂方法在 Si材料中掺入金原子后 ,其电阻随温度 T的变化关系由主要依赖于 T- 3/ 2 项的浅掺杂材料变成主要依赖于 exp( -E/ KT)项的深掺杂材料 ,从而大幅度地提高了掺金 Si材料对温度的敏感性 .在理论上深掺杂 Si材料比浅掺杂 Si材料对温度的敏感性提高了约 1 0 0 0倍 .用深掺杂方法制成的微型流量传感器特性的测量证明了以上理论 .深掺杂 Si材料的应用不但提高了微型流量传感器的灵敏度 ,也大幅度地降低了其时间常数 。
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