作者:乔文华,张纯棣,张治国 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》2000年第08期 页数:2页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS2000080040 DOC编号:DOCYBJS2000080049 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 在研究四电极电化学腐蚀工艺过程中 ,考虑了与扩散硅压力传感器芯片平面工艺的兼容性 ,使得该工艺用于微压传感器的制造。微压传感器采用梁膜结构设计 ,膜区厚度为 1 0 μm ,制造出的微压传感器灵敏度为 5 0mV/ 3kPa/ 1mA ,端点法非线性为 0 .5 %。

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