作者： 单位：中国电子报社 出版：《电子设计技术》2001年第12期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZSJ2001120280 DOC编号：DOCDZSJ2001120289 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 快捷推出新一代IGBT 快捷半导体公司最近推出新一代SMPS Ⅱ IGBT，以取代开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)及其它大功率产品中使用的500V/600V MOSFET。它们的栅极驱动电压力8至10V，与MOSFET类似，因而不必重新设计栅极驱动电路。新的SMPSⅡ IGBT可以代替大功率MOSFET或者取代几个并联的MOSFET。与MOSFET相比，SMPS Ⅱ IGBT技术的功率密度、系统效率及可靠性都得到改善，系统工作频率可以达到150kHz，而电流不会减小。导通损耗很低，在高温时尤为明显。栅极电荷降低80％。SMPS Ⅱ IGBT可以用于各种功率转换器，包括单开关正向转换器。将SMPS Ⅱ IGBT与Stealth二极管装在一起可以降低EMI、开关损耗及导通损耗，并

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