作者：葛秀涛,刘杏芹 单位：中国化学会 出版：《物理化学学报》2001年第10期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWLHX2001100040 DOC编号：DOCWLHX2001100049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 用化学共沉淀法制备了α－Ｆｅ２Ｏ３掺杂的Ｉｎ２Ｏ３纳米晶微粉，研究了α－Ｆｅ２Ｏ３掺杂对Ｉｎ２Ｏ３电导和气敏性能的影响．结果表明，α－Ｆｅ２Ｏ３和 Ｉｎ２Ｏ３间可形成有限固溶体Ｉｎ２－ｘＦｅｘＯ３（０≤ｘ≤０．４０）；Ｆｅ３＋对 Ｉｎ２Ｏ３晶格中Ｉｎ３＋格位的部分取代，大大增强了阴阳离子间的结合力，导致材料中氧空位Ｖｏｘ数骤降、自由电子的浓度变稀和电导下降．ｎ（Ｆｅ３＋）：ｎ（Ｉｎ３＋）＝５：５的共沉淀粉于 ８００℃下灼烧 ４ ｈ所得的 α－Ｆｅ２Ｏ３掺杂Ｉｎ２Ｏ３传感器元件，对 ４５μｍｏｌ&#183；Ｌ－１Ｃ２Ｈ５ＯＨ的灵敏度达５４．０，为相同浓度干扰气体汽油的８倍多．

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