作者：陈开富 单位：中国国际贸易促进委员会 出版：《世界产品与技术》2000年第02期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFSJCS2000020120 DOC编号：DOCSJCS2000020129 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器是金属氧化物半导体(MOS、电荷耦合器件CCD)、电荷注入器件(CID)、固体图像传感器问世之后的又一新型器件，最初是70年代在NASA的Jet PropulsionLaboratory(JPL)发明的，发明初期，由于受集成电路设计和工艺水平的限制，图像质量差，而没有得到重视。到了80年代，英国爱丁堡大学成功地开发出了世界第一块单片CMOS图像传感器，为其实用化开辟了道路。进入90年代后，随着大规模集成电路及其制造技术进入亚微米阶段，CMOS图像传感器技术获得了长足的进展。 至今，已在MOS、CCD和LID图像传感器的基础上

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