作者：周金芳 单位：中国真空学会 出版：《真空科学与技术学报》2001年第04期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZKKX2001040110 DOC编号：DOCZKKX2001040119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《基于ANSYS仿真的阳极键合薄膜形变量的研究》PDF+DOC2017年第02期 葛益娴,彭波,张鹏,赵伟绩 《北京大学/香港理工大学单晶石墨烯制备获突破》PDF+DOC2017年第03期 《不同层数单壁碳纳米管薄膜柔性应变传感器的性能研究》PDF+DOC2020年第05期 张亚玲,孙玉平,上媛媛 《薄膜压力传感器高抗电介质层技术研究》PDF+DOC2017年第05期 王立会,郭伟龙,张姗,孟骁然,赵广宏,李文博,尹玉刚,金小锋 《S枪磁控溅射Ni薄膜晶粒结构与导电特性的研究》PDF+DOC1999年第05期 凌明芳 《S枪磁控溅射镍薄膜温度传感器》PDF+DOC1996年第02期 凌明芳,郝永德,林洪,陈卢金 《铜膜温度传感器的研制》PDF+DOC1988年第03期 刘宝城 《传感器硅膜制备技术的研究》PDF+DOC1989年第01期 张佐兰,田耘,简耀光 《薄膜SOI温度传感器中的少数载流子排斥效应(英文)》PDF+DOC2003年第05期 李斌,黎沛涛,刘百勇,郑学仁 《石墨烯应用研究进展》PDF+DOC2011年第05期 张文毓,全识俊

    • 用化学气相沉积方法制备了超薄有机硅膜。研究了等离子体聚合工艺过程中 ，工艺条件对膜的特性和沉积速率的影响。结果表明 ：沉积掺有苯环的有机硅膜增强了膜的强度和耐腐蚀性能。最近研制的膜已成功地用于一些工程中

    📙 相关资料

    1. 《基于ANSYS仿真的阳极键合薄膜形变量的研究》PDF+DOC 阐述了一种利用阳极键合技术加工的光纤法布里-珀罗MEMS压力传感器的工作原理，建立了考虑阳极键合产生的热应力作用下边界固支的圆膜受外加压力的薄膜形变量公式。利用有限元分析软件ANSYS对与玻璃环键合后实际结构中的膜片在压力作用下的挠度变化进行模拟，采用麦夸特(Levenberg-Marquardt)......
    2. 《北京大学/香港理工大学单晶石墨烯制备获突破》PDF+DOC 北京大学和香港理工大学在单晶石墨烯制备上取得了一项突破，他们通过对化学气相沉积法的调整和改进，将石墨烯薄膜生产的速度提高了150倍。石墨烯是由碳原子构成的只有一层原子厚度的二维晶体材料，在电、光、机械强度上的优异特性，使其在电子学、太阳能电池、传感器等领域有着众多潜在应用。目前制备高质量石墨烯的方法......
    3. 《不同层数单壁碳纳米管薄膜柔性应变传感器的性能研究》PDF+DOC 基于化学气相沉积法生长出的单壁碳纳米管(SWNTs)薄膜，利用聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为基底，制备出一种具有三明治结构的柔性应变传感器，具有良好的光学透明性和电阻响应。探究了不同碳纳米管薄膜层数对传感器性能的影响。实验表明，随着SWNTs薄膜层数的增加，应变传感器的透光性和电阻响应逐渐降低，由单......
    4. 《薄膜压力传感器高抗电介质层技术研究》PDF+DOC SiO_2薄膜是薄膜压力传感器绝缘层的一种常用材料，其性能直接影响着传感器的抗电能力。利用化学气相沉积系统(CVD)对SiO_2薄膜的制备工艺进行了探索和优化，通过改变射频功率、反应气体流量比，制备出适用于高抗电薄膜压力传感器的SiO_2绝缘层，其抗电能力可达300V/AC。...
    5. 《S枪磁控溅射Ni薄膜晶粒结构与导电特性的研究》PDF+DOC 应用薄膜晶粒边界散射的三维物理模型，分析了Ni薄膜晶粒结构对Ni薄膜电阻特性的影响，采用正交试验法得到了用S枪磁控溅射的Ni薄膜具有良好导电特性的最佳工艺条件.SEM照片表明了不同工艺条件下Ni薄膜的薄膜晶粒结构，最后给出了用S枪磁控溅射的Ni薄膜制成的温度传感器的电阻温度特性...
    6. 《S枪磁控溅射镍薄膜温度传感器》PDF+DOC 本文分析了薄膜温度传感器制造的难点，提出降低内应力的方法，应用正交试验技术得出了最佳工艺条件，应用S枪磁控溅射方法和薄膜工艺制成了零电阻分别为100Ω、500Ω、1000Ω的镍薄膜电阻元件，其电阻温度系数达到德国DIN43760标准。...
    7. 《铜膜温度传感器的研制》PDF+DOC 本文根据对铜膜温度传感器的研制，阐述了基片(微晶玻璃基片、硅玻璃基片、陶瓷基片)；真空蒸发工艺条件(烘烤电流及其温度、真空度，蒸发电流及其时间)；热处理条件(温度、时间)等对铜膜电性能的影响，介绍了高精度铜膜温度传感器的最佳工艺条件。...
    8. 《传感器硅膜制备技术的研究》PDF+DOC 一、引言固态传感器的微结构通常用化学腐蚀法获得，如，薄膜、埋层和悬板等。传感器输出电讯号的灵敏度与机械应力或信号源的变化有关，而这种变化又依赖于薄膜厚度。所以厚度的精确控制对器件性能的影响是十分重要的。...
    9. 《薄膜SOI温度传感器中的少数载流子排斥效应(英文)》PDF+DOC 在薄膜 SOI衬底上制备普通电阻结构的硅温度传感器 ，并具有令人满意的特性 ：即使在 0 .1m A的低偏置电流下 ，器件的最高温度工作温度仍能达到 5 5...
    10. 《石墨烯应用研究进展》PDF+DOC 石墨烯具有非凡的物理及电学性质，如高比表面积、高导电性、高机械强度、易于修饰及大规模生产等。2004年石墨烯的成功剥离，使石墨烯成为形成纳米尺寸晶体管和电路的“后硅时代”的新潜力材料，其产品研发和应用目前正在全球范围内急剧增加，本文通过对石墨烯特性、制备方法、国内外研究及应用现状、未来发展展望几方面......

    提示：百度云已更名为百度网盘（百度盘），天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。