作者: 单位:中国有色金属工业协会 出版:《中国有色金属》2001年第08期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYSGY2001080630 DOC编号:DOCYSGY2001080639 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 美国科学家即将公布一种制造纳米硅结构的全新方法。这种被称为受控错位蚀刻(CED)的新方法,在一块硅表面可产生一系列由柱状突起构成的元件。它们的宽度只有25纳米,是商用微处理器最小元件的1/6,将使研究人员有望研制出生物传感器和发光硅显示器等装置。 专家认为,这种新蚀刻方法使生产小到10纳米的硅结构成为可能。以CED为基础

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