作者：王晓红,谭智敏,刘理天,李志坚 单位：中国电子科技集团公司第48研究所 出版：《微细加工技术》2001年第03期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWXJS2001030010 DOC编号：DOCWXJS2001030019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 提出一种与标准IC工艺兼容的MEMS单片集成新方法 -后微机械技术 ，研究了与之相关的关键技术 ，PECVD淀积SiC保护电路技术及多孔硅牲层技术 ，并进行了多孔硅牺牲层技术的实验研究 ，取得了满意的结果。

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