作者：赵颖,熊绍珍,李璟,周祯华,李俊峰 单位：中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版：《Journal of Semiconductors》2001年第01期 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTX2001010150 DOC编号：DOCBDTX2001010159 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 在模拟计算以 a- Si TFT为有源开关 ，以 a- Si PIN为光敏源的有源成像器件工作特性与各单元元件关系的基础上 ，详细讨论了单元器件的材料、物理参数对 a- Si TFT/PIN耦合对特性的影响 ，并给出一定试验结果 .用 L ED光源照射 a- Si PIN的光电转换率可达 18.1n A/lx，a- Si TFT/PIN有较好的线性度

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