作者：黄钊洪 单位：华北光电技术研究所 出版：《激光与红外》2001年第04期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJGHW2001040140 DOC编号：DOCJGHW2001040149 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 发现锑化铟一铟共晶体磁阻元件被置于偏磁系统后 ，对脉冲变化的红外光的照射 ，它的输出信号增强了。采用灵敏度 K1=3 .6 ，K2 =1 .0 2 (B=0 .3 T)的两个磁阻元件 ，在 B=0 .1 5～ 0 .2 T偏磁系统中 ，用峰值波长 λp=940 nm的红外光脉冲照射 ，可使输出电压比没有偏磁时增大 3倍以上 ，输出信号电压 (S)与本底噪声电压 (N)之比为 2 5∶ 1 (S/N=2 8db)。

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