作者：魏榕山,杨善志 单位：西安电子科技大学 出版：《电子科技》2018年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZKK2018010020 DOC编号：DOCDZKK2018010029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 利用CMOS工艺制作的霍尔传感器一般失调电压较大。为了抑制霍尔传感器的失调电压，文中提出一种正交耦合旋转电流技术，利用开关改变失调电压的极性，经过采样相加抑制霍尔元件的失调电压，同时利用相关双采样技术降低电路失调电压。采用Cadence工具对电路进行仿真验证，3.3 V的供电电压下，平均失调电压为550μV。结果表明，电路有效降低了霍尔传感器的失调电压。

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