作者:吴佐飞,尹延昭,田雷,王永刚 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》2018年第06期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ2018060210 DOC编号:DOCCGQJ2018060219 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《基于约瑟夫逊效应的高g值高分辨率加速度计的设计与仿真》PDF+DOC2017年第03期 段宏伟,郑文 《一种高温SOI硅压阻压力芯片的设计与仿真》PDF+DOC2020年第02期 王尊敬,李闯,涂孝军,路翼畅 《基于SOI岛膜结构的高温压力传感器》PDF+DOC2018年第09期 杨娇燕,梁庭,李鑫,李旺旺,林立娜,李奇思,赵丹,雷程,熊继军 《微压压力传感器的结构改进》PDF+DOC1995年第05期 鲍敏杭,沈绍群,陈宏,马青华 《基于旋转谐振结构的单芯片二维电场传感器》PDF+DOC2016年第02期 王宇,方东明,陈博,彭春荣,夏善红 《500pa微压传感器的研制》PDF+DOC2000年第05期 沈绍群,鲍敏杭,孙立镌 《1kPa 微机械结构微压传感器的研究》PDF+DOC1998年第04期 吴宪平,胡美凤,罗桂隆,龚凤英 《硅压力传感器的灵敏度和非线性分析》PDF+DOC1994年第04期 周南生,居水荣,宫俊,张文敏 《压阻式压力传感器性能的研究》PDF+DOC2012年第02期 阎文静,张鉴,高香梅 《谈敏感电阻器》PDF+DOC 欧阳志红
  • 基于压阻效应和惠斯通电桥原理,设计了一种压阻式微压传感器;为了增大灵敏度,设计了一种折弯形的压敏电阻。从微压芯片敏感薄膜的设计、敏感电阻条的确定以及敏感电阻器位置的选取等方面考虑,设计了具有应力匀散效应的梁-膜结构并进行了工艺验证。验证结果表明:所设计的微压芯片灵敏度达到了24 mV/kPa,非线性优于0.2%FS。

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