《辐射环境下CMOS图像传感器的暗电流幅值分布预测方法》PDF+DOC
作者:郑然,刘超,刘晗,惠祥力
单位:航天科技集团公司九院七七一所
出版:《微电子学与计算机》2018年第04期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFWXYJ2018040290
DOC编号:DOCWXYJ2018040299
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在空间卫星系统中,CMOS图像传感器也成为了首选的成像器件.然而,空间中存在的各种辐射粒子所引起的辐射效应,会使CMOS图像传感器暗电流均值增加、不一致性增强,导致图像信噪比降低,影响成像质量.基于半导体器件的辐射效应原理,分析了γ射线和质子辐射对CMOS图像传感器的总剂量和位移损伤效应,提出了一种混合辐射环境下暗电流分布建模方法.仿真结果表明,提出的方法能够准确预测γ射线和质子混合辐射环境下CMOS图像传感器的暗电流幅值分布情况。
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