作者：王永洪,张明义,白晓宇,王鹏 单位：黑龙江省寒地建筑科学研究院 出版：《低温建筑技术》2017年第12期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDRAW2017120320 DOC编号：DOCDRAW2017120329 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 针对静压桩贯入模型试验，基于多晶硅材料的扩散硅膜片制成的硅压阻式传感器，用于静压模型桩贯入过程桩端阻力数据实时采集。试验结果表明，该种传感器适用于静压桩贯入过程的监测，传感器表面需与桩端端部齐平，桩身表面开槽封装传感器导线可以避免贯入时损坏导线。通过分析贯入过程压桩力、桩端阻力和桩侧摩阻力，发现压桩力随模型桩入土深度的增加并没有呈现较明显的线性增大；贯入阻力主要是由桩端阻力产生，桩侧摩阻力较小；贯入试验中静压桩存在桩端残余应力，桩端残余应力与桩端阻力变化曲线相近。该结论为桩基础设计提供了有利参考。

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