作者：李鑫,梁庭,赵丹,姚宗,雷程,李旺旺 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2018年第05期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2018050010 DOC编号：DOCYBJS2018050019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 文中设计了一种基于SOI材料的E型结构MEMS压阻式高温压力敏感芯片。E型结构与传统的C型膜结构相比解决了由于过载压力所导致的传感器灵敏度与线性输出无法同时满足工程需求的问题。在设计方面，先通过经典薄板理论得到敏感C型膜的优化参数，再结合ansys workbench有限元分析软件进而得到E型结构的大小并模拟E型结构的力学性能；设计电阻的形状以及排列位置并通过仿真分析得到最佳的电阻布置，介绍了E型结构MEMS压力传感器的加工工艺，设计的传感器满量程输出为993 mV，可实现对量程8 MPa压力的测量。

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