作者：卞玉民,杨拥军 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2018年第05期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2018050080 DOC编号：DOCBDTQ2018050089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 利用绝缘体上硅(SOI)技术研制了一种可以用于飞行高度测量、气象环境监测和医疗等领域的高精度微电子机械系统(MEMS)电容式压力传感器。利用有限元分析软件对传感器敏感结构进行了结构建模、静力和模态仿真分析。敏感结构为敏感电容和参考电容差动输出形式，可以有效减小温度漂移和重力误差对压力测量准确度的影响。比较了无岛和有岛两种敏感膜的性能差异。为了提高传感器性能，利用成熟的MEMS加工工艺制作了SOI敏感电容极板，并利用硅-硅键合工艺实现了真空腔体。传感器采用标准塑封封装后，采用高低温压力测量系统进行了性能测试。测试结果表明，传感器量程达到30~120 kPa，非线性0.04%~0.09%，分辨率1 Pa。

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