作者：李小晴,叶辰,林正得,江南 单位：哈尔滨工业大学;中国材料研究学会 出版：《材料科学与工艺》2018年第04期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCLKG2018040020 DOC编号：DOCCLKG2018040029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本工作采用化学气相沉积法(CVD)石墨烯制备场效应晶体管(FET)传感器，在石墨烯表面修饰DNA，用于检测汞离子.为探索转移方法对石墨烯传感器件性能的影响，制备了3种不同转移工艺的石墨烯样品，分别是PMMA转移方法中退火烧除PMMA的石墨烯、用丙酮洗去PMMA的石墨烯和Au转移的石墨烯，对石墨烯样品进行拉曼光谱、分光光度计、光学显微镜(OM)、扫描探针显微镜(SPM)的表征.通过FET转移特性曲线的输出，得到汞离子对石墨烯掺杂情况的变化，从而考察了各种石墨烯传感器对汞离子的检测性能.结果表明，Au转移的石墨烯表面清洁程度最佳，SPM图像显示其表面平坦无杂质，表面粗糙度(Ra)仅为0.45 nm.用该种石墨烯制备的传感器件对汞离子检测的检测限达10 p M，且FET的狄拉克点变化也最大，达-0.132 V。

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