作者：杨晓光,高丽敬,李丛丛,金双双,高灵虎,徐林亮 单位：中国电机工程学会 出版：《中国电机工程学报》2018年第07期 页数：9页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZGDC2018070210 DOC编号：DOCZGDC2018070219 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 双向饱和磁通门原理具有优良的温度稳定性，然而该方法局限于被测磁场强度(H_p)大于磁芯最小饱和磁场强度(H_(sat))的条件。该文研究H_p&lt；H_(sat)情况下激励电流的变化规律，得出被测电流的表达式及其成立条件，完善了双向饱和磁通门原理。在此基础上提出新的检测方法，设计传感器样机，进行仿真与实验研究。所设计的传感器能测量0~1.2A的小电流(H_p&lt；H_(sat))与1.2~150A的大电流(H_p&gt；H_(sat))，测量精度为0.5%。温度由25℃上升到120℃时所引起的测量误差小于0.085%。测试结果与仿真结果具有很好的一致性，验证了测量原理的正确性与测量方法的有效性。

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