作者:王海宝,郭海平,王于波,王峥,郭彦 单位:哈尔滨电工仪表研究所有限公司;中国仪器仪表学会电滋;测量信息处理仪器分会 出版:《电测与仪表》2018年第09期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDCYQ2018090200 DOC编号:DOCDCYQ2018090209 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 以50A的电流传感器为目标,建立了通电导线的磁场模型,利用有限元仿真软件计算出通电导线周围的磁场。基于在通电导线上方的两个位置磁场大小相等、方向相反的特点,设计了全桥拓扑结构的TMR元件。采用IrMn/CoFeB/Ru/CoFeB/MgO/CoFeB/NiFe/Ta的磁隧道结膜层结构,制备得到的TMR元件灵敏度为4.4mV/V/Oe,线性范围达到15Gs,offset仅为1%V_(cc)。利用该TMR元件构建的开环电流传感器,精度达到了1%,证明了TMR元件能够被用于电流传感器中。

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