作者：康强,石云波,杨志才,赵永琪,许鑫,王彦林,焦静静 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2018年第04期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2018040050 DOC编号：DOCBDTQ2018040059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为了提高高g微机械加速度传感器在极端恶劣环境中应用的可靠性，根据自制的高g微机械加速度传感器芯片，研究设计了一种新型“台阶式”传感器芯片的盖帽封装结构。利用圆片级键合工艺和有限元分析(FEA)方法确定了盖帽封装结构材料与尺寸的设计方案。优化微电子机械系统(MEMS)加工工艺流程完成对盖帽封装结构的加工，并通过数字电子拉力机对实现圆片级盖帽封装的传感器芯片进行键合强度测试。测试结果表明，键合强度为35 000 kPa，远大于抗过载封装设计要求下的键合强度值(401.2 kPa)，证明了盖帽封装结构设计的可行性和可靠性。

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