作者：马林东,李豫东,郭旗,文林,周东,冯婕 单位：中国航天科工集团公司第三研究院第八三五八研究所 出版：《红外与激光工程》2018年第10期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWYJ2018100430 DOC编号：DOCHWYJ2018100439 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 对不同偏置状态下的国产科学级0.18μm工艺掩埋型4T-CMOS有源像素图像传感器进行钴-60γ射线辐照和退火实验，研究总剂量效应对图像传感器的性能影响，并观察是否存在总剂量偏置效应。着重分析暗电流、满阱容量等参数随累积剂量的变化规律。实验结果表明随着辐照总剂量累加，暗电流前期缓慢增长，之后退化明显加剧，这主要是由于辐照致界面态和氧化物陷阱电荷密度增加。4T-CMOS图像传感器的暗电流主要由来源于STI界面，而辐照导致耗尽区展宽与STI接触使得暗电流增长加剧，同时，辐照导致的耗尽区展宽也引起满阱容量的下降。并且在4T-CMOS图像传感器的实验中没有发现明显的总剂量偏置效应。

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