作者：卞玉民,鲁磊,杨拥军 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2018年第06期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2018060070 DOC编号：DOCBDTQ2018060079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 基于半导体硅的压阻效应，研制了一种MEMS大量程压力传感器。为了实现大量程压力测量，采用了不锈钢材质制作了压力敏感膜片。利用有限元分析软件对传感器敏感芯体进行了结构建模仿真分析和优化设计。采用玻璃微熔技术将敏感电阻粘结固定在不锈钢敏感膜片上。利用成熟的微电子机械系统(MEMS)加工工艺，完成了可以在高温下工作的绝缘体上硅(SOI)敏感电阻的制作。采用激光焊接方法将敏感芯体焊接到传感器基座上，提高了结构的机械强度。信号调理采用了压力信号专用集成电路(ASIC)，具有高精度的放大和温度补偿功能。完成了整体封装和调试后，对压力传感器的主要性能指标进行了测试，结果表明压力传感器的工作温度为-55~150℃，压力量程0~42 MPa，精度&lt；0.5%。

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