作者:马婷婷,马书鯼,张爱军 单位:东南大学 出版:《电子器件》2017年第06期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZQJ2017060060 DOC编号:DOCDZQJ2017060069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 随着MEMS技术的飞速发展,可靠性问题逐渐成为MEMS器件在军事和商业中应用的重要阻碍。结合器件的工作环境,分别从高温、高温高湿、温度冲击、过电压、压力过载、温湿循环等环境负载方面探讨硅压阻式MEMS压力传感器的工艺可靠性问题。试验结果表明,环境负载后,圆片级器件特性参数基本无变化,而封装级器件特性参数有不同程度的漂移。参照工厂制定的工艺标准(<10%),封装级器件测试数据可以有效监控MEM产品的工艺质量。

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