作者：陈宏亮,马少杰,张英忠,张锦明 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2018年第02期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2018020030 DOC编号：DOCCGJS2018020039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 针对压阻式传感器敏感结构设计的需要，提出一种MEMS三轴高g值加速度传感器敏感结构。对设计的传感器进行Hopkinson杆冲击试验，标定了传感器的灵敏度、线性度和交叉耦合误差参数。对标定的传感器进行了动态侵彻试验，试验结果表明在48 000 gn幅值、3 ms脉宽和15 000 gn幅值、13 ms脉宽的冲击载荷下，传感器测试的位移误差为6%，性能良好，能够满足大脉宽、高冲击测试的需要。

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