作者：杨娇燕,梁庭,李鑫,李旺旺,林立娜,李奇思,赵丹,雷程,熊继军 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2018年第09期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2018090040 DOC编号：DOCBDTQ2018090049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 针对绝缘体上硅(SOI)压力传感器平模结构下压敏电阻所在区域应力跨度过大而导致的线性度降低问题，采用了岛膜结构改善敏感膜片表面的应力分布，使压敏电阻能够完全布置在应力集中区，从而提高传感器的灵敏度和线性度。使用有限元分析软件对岛膜结构进行力学性能分析，根据敏感膜片表面应力分布情况确定压敏电阻最优的位置分布，并完成敏感芯片的制备。对完成的敏感芯片进行封装并进行温度-压力的复合测试，测试结果表明在19~200℃、量程2 MPa范围内，该传感器有较高的灵敏度(0.055 mV/kPa)和线性度(0.995)。

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