《基于GaN HEMTs的S波段大功率固态功放组件设计》PDF+DOC
作者:彭恩超,张瑞
单位:中国电子科学研究院
出版:《中国电子科学研究院学报》2019年第02期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFKJPL2019020190
DOC编号:DOCKJPL2019020199
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介绍了一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)的S波段大功率固态功放组件,详细阐述了组件的微波链路设计、热设计、BITE设计以及电源设计等设计中的关键性问题。测试结果表明,组件在450μs脉宽、15%占空比条件下输出峰值功率不小于1. 6 k W,效率达到40%。组件创新性地采用实时参数化的数字采样技术、激励/控制输入通道的冗余设计技术,适应高可靠雷达系统的健康管理对组件的智能化要求。
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