作者：杨成财,鞠国豪,陈永平 单位：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 出版：《中国光学》2019年第05期 页数：14页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZGGA2019050110 DOC编号：DOCZGGA2019050119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 传统的CMOS图像传感器一般采用基于LV-CMOS工艺的N阱/P型衬底制备的PN光电二极管或者PPD二极管作为光敏元。PIN光敏元具有结电容小、量子效率高的特点。采用HV-CMOS(高压CMOS)工艺可以实现CMOS电路与PIN光敏元的单片集成。本文研究了集成PIN光敏元的CMOS探测器的光电响应特性以及NEP随像素大小和复位电压的变化关系。研究表明，将光敏元从PN光电二极管改为PIN光电二极管后，像素电荷增益可以提高一个数量级左右；同时，像素的瞬态电荷增益要大于传统认为的1/Cpd，并与二极管的大小以及复位电压紧密相关。研究发现，小像素因其更高的电荷增益和更低的等效噪声，更加适合弱信号下的短积分时间快速探测。若配合微透镜的使用，小像素在微光探测方面可以获得更大的优势。

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