作者:张峻霖,潘海鸿 单位:中国机械工程学会;北京机床研究所 出版:《制造技术与机床》2019年第11期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFZJYC2019110270 DOC编号:DOCZJYC2019110279 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 三段式差动变压器式位移传感器(LVDT)由于结构特性,两次级线圈近端和远端的磁场分布不均,导致LVDT静态特性较差。针对上述弊端提出一种改善线性度和灵敏度的新绕线方法,即改变骨架锥度来改变次级线圈绕线锥度,在ANSYS Maxwell中建立LVDT有限元模型,在Maxwell Circuit Editor中设计外部激励电路,进行瞬态磁场的耦合仿真。结果表明,保持其他因素不变,只改变骨架锥度调节次级线圈绕线锥度的方法能够有效改善LVDT的静态特性,新型LVDT的线性度是传统的2.4倍。

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