《次级线圈绕线锥度对LVDT静态特性的影响》PDF+DOC
作者:张峻霖,潘海鸿
单位:中国机械工程学会;北京机床研究所
出版:《制造技术与机床》2019年第11期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFZJYC2019110270
DOC编号:DOCZJYC2019110279
下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《双余度LVDT位移传感器输出电压线性度研究》PDF+DOC2020年第02期 郁明辉,李鹏,刘肖肖
《基于磁屏蔽原理改善LVDT静态性能的结构研究》PDF+DOC2020年第02期 闫飞,尹明富,孙会来,赵镇宏
《基于Maxwell环境的LVDT传感器仿真设计》PDF+DOC 邓小雄
《导磁环对LVDT线性度和灵敏度的影响》PDF+DOC2018年第12期 林宪臣,尹明富,孙会来,赵镇宏
《新型精密LVDT仿真分析》PDF+DOC2014年第08期 钱谦,刘武发,郭松路
《基于方形骨架的宽频雷击电流传感器理论研究与实验》PDF+DOC2017年第03期 崔陆军,王亚军,王成银,郭强
《LVDT数字智能变送器设计与实现》PDF+DOC2020年第02期 曹雄恒,李承志,于立
《一种差动变压器式位移传感器的建模仿真分析》PDF+DOC2019年第05期 郑西洋,许益民
《磁场补偿对LVDT静态特性影响的研究》PDF+DOC2019年第05期 林宪臣,尹明富,孙会来,赵镇宏
《基于LVDT微位移测量系统及外围电路设计与实现》PDF+DOC2019年第05期 李慧妍,姜彪,李荣正,戴国银
三段式差动变压器式位移传感器(LVDT)由于结构特性,两次级线圈近端和远端的磁场分布不均,导致LVDT静态特性较差。针对上述弊端提出一种改善线性度和灵敏度的新绕线方法,即改变骨架锥度来改变次级线圈绕线锥度,在ANSYS Maxwell中建立LVDT有限元模型,在Maxwell Circuit Editor中设计外部激励电路,进行瞬态磁场的耦合仿真。结果表明,保持其他因素不变,只改变骨架锥度调节次级线圈绕线锥度的方法能够有效改善LVDT的静态特性,新型LVDT的线性度是传统的2.4倍。
提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。