作者：郭玉刚,吴佐飞,田雷 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2019年第03期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2019030070 DOC编号：DOCCGQJ2019030079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《论硅的各向异性腐蚀》PDF+DOC1987年第01期 吴宪平,鲍敏杭 《压力传感器中的各向异性腐蚀技术》PDF+DOC2005年第06期 张为,姚素英,张生才,张维新 《Metropolis蒙特卡罗模拟湿法腐蚀算法研究及应用》PDF+DOC2008年第01期 朱鹏,幸研,易红,汤文成 《基于牺牲层技术的高过载压力传感器芯片》PDF+DOC2014年第12期 揣荣岩,王健,代全,杨理践 《各向异性腐蚀技术研究与分析》PDF+DOC2001年第02期 沈桂芬,吴春瑜,姚朋军,杨学昌,刘兴辉,吕品,高嵩 《传感器的微机械加工中各向异性腐蚀过程的计算机模拟》PDF+DOC2000年第01期 孙以材,高振斌 《微型双岛硅膜制作中的削角补偿方法研究》PDF+DOC1996年第06期 吴紫峰,田雷,温鹏宇 《高量程压力传感器的硅杯设计》PDF+DOC1986年第05期 张九惠,罗永春 《集成化触觉阵列传感器的研制》PDF+DOC2001年第02期 田雷,孙凤玲,寇文兵 《SOI高温压力传感器的研究》PDF+DOC2006年第04期 张书玉,张维连,索开南,牛新环,张生才,姚素英

    • 针对单晶硅(100)晶面在氢氧化钾(KOH)腐蚀液中各向异性腐蚀时的削角问题，进行了一项凸角补偿实验。通过不同尺寸与形状组合的〈110〉条形补偿结构，对长方形凸台进行补偿，最终获取具有期望效果的补偿结构。该方法应用于压力传感器芯片的过载保护结构设计。

    📙 相关资料

    1. 《论硅的各向异性腐蚀》PDF+DOC 本文论述了用于固态传感制备的〈100〉和〈110〉晶向硅片各向异性腐蚀的特点和机理；对掩模图形边缘取向和(100)硅矩形台而凸角处的削角现象进行了探讨；对各种各向异性腐蚀剂的配方与性能进行了对比；并列腐蚀残留物成分与形成条件进行了分析与研究。...
    2. 《压力传感器中的各向异性腐蚀技术》PDF+DOC 研究了半导体压阻式压力传感器制作中的关键工艺———硅各向异性腐蚀.采用两种腐蚀液：m(TMAH)∶V(H2O)=50g∶50ml和m(KOH)∶V(IPA)∶V(H2O)=50g∶15ml∶35ml，在80～85℃腐蚀，均获得了较为理想的效果.制作的1MPa多晶硅压力传感器的输出线性度、迟滞和重复性......
    3. 《Metropolis蒙特卡罗模拟湿法腐蚀算法研究及应用》PDF+DOC 探讨了Metropolis蒙特卡罗方法模拟硅微加工各向异性湿法腐蚀仿真算法.在台阶流动(step flow)模型上引入了腐蚀概率方程，确定了蒙特卡罗转移概率.通过对不同相位晶面(vicinal surface)在掩模下的腐蚀模拟对提出的方法进行了校验分析，解释了蒙特卡罗法处理复杂晶面的原理和过程.模......
    4. 《基于牺牲层技术的高过载压力传感器芯片》PDF+DOC 提出了一种基于牺牲层技术的高过载压力传感器芯片。这种传感器充分利用了多晶硅机械特性和多晶硅纳米膜的压阻特性优势，提高了传感器满量程输出和过载能力。利用有限元方法设计了仿真模型，通过对弹性膜片应力分布的静态分析和非线性接触分析，给出了提高这种压力传感器满量程输出和过载能力的设计方法。并试制了量程为2.......
    5. 《各向异性腐蚀技术研究与分析》PDF+DOC 本文详细分析了用各向异性腐蚀技术形成的压阻式压力传感器硅杯的几种腐蚀方法 ，根据实验提出了它们的优缺点 ，介绍了几种各向异性蚀的自致停止法和腐蚀中削角的补偿方法 ，对制造微量程、高灵敏度的压力传感器有一定的指导意义 。...
    6. 《传感器的微机械加工中各向异性腐蚀过程的计算机模拟》PDF+DOC 本文介绍传感器微机械加工中使用的各向异性腐蚀的计算机模拟。首先，提出了一个关于迟缓矢的概念，这在分析腐蚀过程中是非常重要的。利用此概念便可以知道被腐蚀晶体的凹角隅或凸角隅的顶点是怎样运动的。每时每刻被腐蚀的晶体的轮廓便可显示在计算机屏幕上。这样便可以设计出合理的掩膜以获得各向异性腐蚀后所需要的传感器......
    7. 《微型双岛硅膜制作中的削角补偿方法研究》PDF+DOC 针对微型双岛硅膜制作中的凸角削角腐蚀问题，提出了一种新的削角补偿方法一“两端矩形补偿法”，并在感压膜尺寸仅为０．７２ｍｍ&#215；１ｍｍ的双岛硅膜制作中获得成功。...
    8. 《高量程压力传感器的硅杯设计》PDF+DOC 本文针对硅压阻效应的各向异性，在压力传感器的硅杯设计中提出了“平均应力点等效模型”的基本设计思想，并以此模型为基础详细论述了高量程压力传感器硅杯的设计过程。...
    9. 《集成化触觉阵列传感器的研制》PDF+DOC 介绍了一种集成化单晶硅触觉阵列传感器。该传感器共有 10 0个触觉单元 ，芯片尺寸为 2 5mm&#215；2 5mm ，厚度小于 10mm。在制造工艺上 ，把CMOS工艺和半导体平面工艺融为一体...
    10. 《SOI高温压力传感器的研究》PDF+DOC 介绍了SOI压力传感器的制作工艺，并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟，模拟结果与实际测得结果是相符的。对SOI压力传感器测量结果表明，当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性。另外对SOI压力传感器和多晶硅压力传感器进行比较，发现单晶硅SOI高温压力传感器灵敏度比多晶硅高温压力传感器灵敏......

    提示：百度云已更名为百度网盘（百度盘），天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。