作者: 单位:北京新材料发展中心 出版:《新材料产业》2019年第06期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFXCLY2019060220 DOC编号:DOCXCLY2019060229 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 弗劳恩霍夫研究所成功在GaN芯片集成多个元件德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(FraunhoferIAF)的研究人员成功将电流传感器、温度传感器以及功率晶体管、续流二极管以及栅极驱动器都集成到了基于氮化镓(GaN)的半导体芯片上,从而显著地提升了用于电压转换器的GaN功率集成电路的功能。此次研究进展将为研发更紧凑、更高效的电动汽车车

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