《低轴间耦合的MEMS三维电场传感器》PDF+DOC
作者:凌必赟,彭春荣,任仁,储昭志,张洲威,雷虎成,夏善红
单位:中国科学院电子学研究所;国家自然科学基金委员会信息科学部
出版:《电子与信息学报》2018年第08期
页数:7页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDZYX2018080220
DOC编号:DOCDZYX2018080229
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轴间耦合干扰是影响3维电场传感器测量准确性的重要因素。该文提出了一种低耦合干扰的MEMS 1维电场敏感芯片,并将3个上述的芯片正交组合研制出一款低轴间耦合的MEMS 3维电场传感器。不同于已见报道的测量垂直方向电场分量的MEMS 1维电场敏感芯片,该文提出的芯片采用轴对称设计,在差分电路的配合下能够测量垂直于对称轴方向的面内电场分量,并能够消除正交于测量轴方向的电场分量的耦合干扰。该MEMS 3维电场传感器具尺寸小和集成度高等优点。实验结果表明在0~120 k V/m电场强度范围内,该MEMS 3维电场传感器的轴间耦合灵敏度小于3.48%,3维电场测量误差小于7.13%。
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