作者：董健方,彭挺,高能武,金立川,钟智勇 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2018年第08期 页数：12页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2018080010 DOC编号：DOCBDTJ2018080019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《一种用于磁传感器读出电路的双斜率ADC》PDF+DOC2015年第03期 张任伟,刘珂,杜占坤,阎跃鹏 《分布式电磁法仪器系统设计及实现》PDF+DOC2019年第10期 郑采君,刘昕卓,林品荣,孙夫文,李勇,李建华,王珺璐 《光纤F-P微弱磁场传感器》PDF+DOC1999年第01期 袁纵横,刘永智,周晓军 《霍尔效应磁传感器的相敏特性研究》PDF+DOC1998年第01期 陈金岳,周立伟,丁守谦,李文深 《科技书讯》PDF+DOC1995年第07期 《宝马F45动力传动系统新技术剖析(中)》PDF+DOC2015年第04期 杨明 《霍尔传感器的应用浅析》PDF+DOC2009年第08期 张健 《高灵敏度与低功耗结合的数字输出磁传感器》PDF+DOC 《一种船用磁场传感器的研究》PDF+DOC2007年第06期 张巍 《消磁控制设备现状及其发展》PDF+DOC2007年第04期 张巍,肖昌汉

    • 霍尔传感器作为磁传感器的重要成员，广泛应用于汽车电子和无线通信等电子系统。与以第一代半导体材料硅、锗等为基底的霍尔传感器相比，GaAs基霍尔传感器具有更高的磁场分辨率、灵敏度和稍好的温度特性。概述了GaAs材料在霍尔传感器领域的优势及霍尔单元形状的研究进展；综述了采用外延工艺制备的单外延结构的GaAs基霍尔传感器和异质结构的GaAs基霍尔传感器的研究进展；详细介绍了电压偏移消除技术的研究进展，包括结构的优化、正交对消补偿和旋转电流技术；最后对GaAs基霍尔传感器的发展趋势进行了展望。

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