作者：齐艺轲,李少甫,施宇根 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2019年第09期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2019090190 DOC编号：DOCCGQJ2019090199 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 针对辐射环境对传感器中集成电路造成的影响，设计了一种新型二维纠错码及其相应的编译码电路。介绍了新型二维纠错码的编码算法，将信息位分成相等两行排列成矩阵形式，分别对每行每列加入校验位。设计了其译码算法，重复编码步骤，并运用水平校正子和伴随式计算出正确信息位。运用信息位与校验位交错排列的方法，使其具有更强的纠错性能。实验结果与性能分析表明：设计的新型二维纠错码具有纠错能力强、编译码电路功耗、时延低等特点，适用于对辐射环境下传感器集成电路进行抗辐射加固。

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