作者:何君,李明月 单位:中国电子科技集团公司第十三研究所 出版:《半导体技术》2019年第04期 页数:11页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTJ2019040010 DOC编号:DOCBDTJ2019040019 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 作为一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,AlN不仅具有超宽直接带隙(6.2 eV)、高热导率、高电阻率、高击穿场强、优异的压电性能和良好的光学性能,而且AlN晶体还与其他Ⅲ-N材料具有非常接近的晶格常数和热膨胀系数。这些特点决定了AlN在GaN外延、紫外光源、辐射探测器、微波毫米波器件、光电器件、电力电子器件以及声表面波器件等领域具有广阔的应用前景。介绍了AlN材料在功率器件、深紫外LED、激光器、传感器以及滤波器等领域的应用现状,并对AlN材料及其应用的未来发展趋势进行了分析和展望。

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