《超宽禁带AlN材料及其器件应用的现状和发展趋势》PDF+DOC
作者:何君,李明月
单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
出版:《半导体技术》2019年第04期
页数:11页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTJ2019040010
DOC编号:DOCBDTJ2019040019
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作为一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,AlN不仅具有超宽直接带隙(6.2 eV)、高热导率、高电阻率、高击穿场强、优异的压电性能和良好的光学性能,而且AlN晶体还与其他Ⅲ-N材料具有非常接近的晶格常数和热膨胀系数。这些特点决定了AlN在GaN外延、紫外光源、辐射探测器、微波毫米波器件、光电器件、电力电子器件以及声表面波器件等领域具有广阔的应用前景。介绍了AlN材料在功率器件、深紫外LED、激光器、传感器以及滤波器等领域的应用现状,并对AlN材料及其应用的未来发展趋势进行了分析和展望。
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