作者：揣荣岩,吕品,杨宇新,张冰 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2019年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2019020040 DOC编号：DOCYBJS2019020049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 针对小量程MEMS压力传感器存在提高灵敏度与降低非线性相互制约的问题，利用板壳理论对小量程压力敏感结构进行了仿真分析，给出了兼顾这两个相互制约技术指标的设计方法。基于SOI技术设计了小量程压力敏感结构，通过感压膜片断裂前与衬底适当接触可使其过载能力得到有效提高。仿真结果表明，所设计的量程为5 kPa的压力敏感芯片，其过载压力达到1 MPa，1 mA恒流源供电条件下，满量程输出为43.2 mV。

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