《8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理》PDF+DOC
作者:汪波,王立恒,刘伟鑫,孔泽斌,李豫东,李珍,王昆黍,祝伟明,宣明
单位:中国光学学会
出版:《光学学报》2019年第05期
页数:9页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGXXB2019050050
DOC编号:DOCGXXB2019050059
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针对卫星轨道上空间辐射环境引起的光学相机性能退化问题,采用8晶体管(8T)-全局曝光互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器进行重离子辐照实验。实验结果显示,不同功能模块寄存器发生单粒子翻转,导致输出图像出现不同的异常模式,主要表现为输出图像“卡零”、若干相邻列输出异常、整幅图像“花屏”等。结合器件的不同子电路功能、工艺结构和工作原理,分析重离子入射器件微观作用过程对宏观图像异常模式的影响,深入探讨器件不同功能模块单粒子翻转的敏感性和损伤机理。研究结果可为CMOS图像传感器加固设计、单粒子地面模拟实验方法及标准和评估技术的建立提供重要参考。
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