作者：马玉嘉 单位：江西省科技情报研究所 出版：《科技广场》2015年第10期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFKJIG2015100030 DOC编号：DOCKJIG2015100039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文根据器件中热磁涨落和载流子缺陷辅助隧穿势垒的1/f噪声产生机理，推导了集成霍尔传感器的1/f噪声、缺陷和灵敏度的相关性模型。实验结果表明：当外加磁场是恒定的，集成霍尔传感器的电1/f噪声幅度和灵敏度都取决于传感器中缺陷数量，传感器中缺陷越少，该器件的噪声越小、灵敏度越高；当电场强度不变时，传感器磁1/f噪声与灵敏度都取决于传感器中的磁畴翻转，磁畴翻转越多，磁1/f噪声幅值越大，传感器灵敏度越小。实验结果与理论吻合良好。该结果为集成霍尔传感器中1/f噪声对灵敏度的影响提供了一种有效的评估方法。

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